| 发明名称 | 一种多晶硅引晶方法 | ||
| 摘要 | 发明公开了一种多晶硅引晶方法，包括以下步骤：(1)在引晶颗粒外包裹一层氮化硅涂层形成新的引晶颗粒；(2)把步骤(1)中形成的新的引晶颗粒均匀的铺设到坩埚底部；(3)把经过步骤(2)处理后的坩埚放入铸锭炉中，进行多晶硅的铸锭。本发明在原有多晶硅铸锭的基础上，通过把引晶颗粒的外表面包裹一层氮化硅涂层，大大的改善了引晶颗粒与坩埚底部接触易发生粘连的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN105088337A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510446358.1 | 申请日期 | 2015.07.27 |
| 申请人 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 发明人 | 宋江;郭宽新 |
| 分类号 | C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B28/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 张海英;林波 |
| 主权项 | 一种多晶硅引晶方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）.在引晶颗粒外包裹一层氮化硅涂层形成新的引晶颗粒；（2）.把步骤（1）中形成的新的引晶颗粒均匀的铺设到坩埚底部；（3）.把经过步骤（2）处理后的坩埚放入铸锭炉中，进行多晶硅的生产。 | ||
| 地址 | 215434 江苏省苏州市太仓市港口开发区平江路88号 | ||