| 发明名称 | 薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，该薄膜晶体管的源极和漏极不易被氧化，从而使得该薄膜晶体管具有较高的稳定性。一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：源漏金属层图案，该薄膜晶体管还包括：覆盖所述源漏金属层图案的金属氧化物绝缘层，且所述金属氧化物绝缘层与所述源漏金属层图案相接触。本发明适用于薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的阵列基板、以及包括该阵列基板的显示装置的制作。 | ||
| 申请公布号 | CN105097950A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510524252.9 | 申请日期 | 2015.08.24 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘翔 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：源漏金属层图案，其特征在于，还包括：覆盖所述源漏金属层图案的金属氧化物绝缘层，且所述金属氧化物绝缘层与所述源漏金属层图案相接触。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||