发明名称 |
一种OLED显示器件及其制作方法、显示装置 |
摘要 |
本发明公开一种OLED显示器件及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,以提高OLED显示器件的出光强度和发光效率。所述OLED显示器件包括:发光像素单元,发光像素单元包括:位于衬底基板上方的阳极,与阳极相对设置的阴极,以及形成于阳极和阴极之间的微腔;其中,微腔包括有机发光层,阳极包括:与阴极相对的铟锡氧化物ITO层,以及位于ITO层背向阴极的侧面上的金属氧化物导体层。由ITO层和金属氧化物导体层形成的阳极与阴极之间形成微腔,调节了微腔的腔长,改善了OLED显示器件的微腔效应,从而提高OLED显示器件的出光强度和发光效率。本发明提供的OLED显示器件应用于显示装置中。 |
申请公布号 |
CN105097874A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201510297822.5 |
申请日期 |
2015.06.01 |
申请人 |
合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
张玉婷;吴俊纬;于剑伟 |
分类号 |
H01L27/32(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种OLED显示器件,其特征在于,包括发光像素单元,所述发光像素单元包括:位于衬底基板上方的阳极,与所述阳极相对设置的阴极,以及形成于所述阳极和所述阴极之间的微腔;其中,所述微腔包括有机发光层,所述阳极包括与所述阴极相对的铟锡氧化物ITO层,以及位于所述ITO层背向所述阴极的侧面上的金属氧化物导体层。 |
地址 |
230011 安徽省合肥市新站区站前路99号南海大厦502室 |