| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有栅极结构；刻蚀去除所述栅极结构两侧部分厚度的衬底形成凹槽；对所述凹槽表面进行氧化处理形成氧化膜，修复凹槽表面的晶格损伤；去除所述氧化膜，暴露出凹槽表面；采用外延工艺形成填充满所述凹槽的应力层。本发明在形成应力层之前，对凹槽表面进行氧化处理，将凹槽表面具有晶格损伤的材料转化为氧化膜材料后，去除氧化膜使得暴露出来的凹槽表面的晶格质量高，从而有利于形成质量高缺陷少的应力层，使得应力层作用在沟道区的应力作用较大，提高形成的半导体器件的驱动电流。 | ||
| 申请公布号 | CN105097457A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410184449.8 | 申请日期 | 2014.05.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 丁士成;沈忆华;余云初 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有栅极结构；刻蚀去除所述栅极结构两侧部分厚度的衬底形成凹槽；对所述凹槽表面进行氧化处理形成氧化膜，修复凹槽表面的晶格损伤；去除所述氧化膜，暴露出凹槽表面；采用外延工艺形成填充满所述凹槽的应力层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||