发明名称 |
一种光刻套准补正的方法 |
摘要 |
本发明方法提出一种光刻套准补正的方法,主要是对正向或负向扫描方向的曝光单元分别抽样量测其套准结构,再通过对应的计算程式计算出正向或负向的套准补偿值,最后反馈光刻机,按曝光单元的曝光扫描方向分别进行套准补正。本发明方法,在不对光刻机硬件进行改动,不要求机台进行额外的环境监控,不影响流片速度的前提下,解决了由于光刻机位移马达为提供不同方向机械运动的动力以满足不同的扫描方向而产生的位置精度偏差,以及其所造成的光刻曝光套准偏差,更好地改善了套准精度,进而实现提高产品良率的最终目的。 |
申请公布号 |
CN105093858A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201510626687.4 |
申请日期 |
2015.09.28 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
王晓龙;陈力钧;李德建;朱骏 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;陈慧弘 |
主权项 |
一种光刻套准补正的方法,硅片以曝光单元为单位,逐个正向或负向扫描曝光,并抽样量测出套准结果,计算套准补偿值,反馈光刻机进行补正,其特征在于,按硅片曝光时正向或负向的扫描方向分别计算出正套准补偿值和负套准补偿值。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |