| 发明名称 | 堆叠器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种制造半导体器件的方法，提供第一器件，所述第一器件包括第一穿透硅通孔(TSV)结构；在所述第一器件上方形成第一涂层材料，其中，所述第一涂层材料在所述第一器件上方连续地延伸并且覆盖所述第一穿透硅通孔结构；将第二器件设置在所述第一器件上方以及所述第一涂层材料内，其中，所述第二器件包括第二穿透硅通孔结构和多个导电凸点，设置所述第二器件包括所述多个导电凸点位于所述第一涂层材料内；在所述第二器件上方形成第二涂层材料；将第三器件设置在所述第二涂层材料上方；对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行预处理；以及此后，同一处理中对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行固化。 | ||
| 申请公布号 | CN105097567A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510427008.0 | 申请日期 | 2009.06.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王宗鼎;李建勋;陈承先;赵智杰;李明机;郭祖宽 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：提供第一器件，所述第一器件包括第一穿透硅通孔(TSV)结构；在所述第一器件上方形成第一涂层材料，其中，所述第一涂层材料在所述第一器件上方连续地延伸并且覆盖所述第一穿透硅通孔结构；将第二器件设置在所述第一器件上方以及所述第一涂层材料内，其中，所述第二器件包括第二穿透硅通孔结构和多个导电凸点，设置所述第二器件包括所述多个导电凸点位于所述第一涂层材料内；在所述第二器件上方形成第二涂层材料，其中，所述第二涂层材料在所述第二器件上方连续地延伸并且覆盖所述第二穿透硅通孔结构；将第三器件设置在所述第二涂层材料上方，其中，所述第三器件包括第三穿透硅通孔结构；对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行预处理；以及此后，同一处理中对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行固化。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||