| 发明名称 | 三维集成电路的器件结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维集成电路的器件结构及其制备方法，通过在非器件区域的晶圆的背面表面设置一电容的电路元件，该电容接触晶圆背面的大部分面积，因此所制备的电容面积相对较大，电容储存电能的容量、内阻等指标可以达到器件生产的需求，同时因该晶圆的背面可用来形成引线，所以超大面积的电容亦不会对其他电路元器件的设计与分布造成影响。 | ||
| 申请公布号 | CN105097770A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510325606.7 | 申请日期 | 2015.06.12 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 朱继锋;梅绍宁;鞠韶复 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 吴俊 |
| 主权项 | 一种三维集成电路的器件结构，其特征在于，所述器件结构包括：键合晶圆，包括正面键合的第一晶圆和第二晶圆，且所述第一晶圆的背面上和/或所述第二晶圆的背面上设置有非器件区域；电路元件，设置于所述非器件区域中。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||