发明名称 |
一种嵌入式闪存及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种嵌入式闪存及其制作方法。该方法包括:提供半导体衬底,该半导体衬底上形成有多个浮动栅极,在相邻的浮动栅极之间形成有隔离材料层;对隔离材料层进行第一回刻蚀,以形成凹槽;在浮动栅极上和第一回刻蚀后的隔离材料层上形成补偿层;对补偿层进行刻蚀至露出浮动栅极的上表面,并对第一回刻蚀后的隔离材料层进行第二回刻蚀,以形成隔离结构,其中隔离结构的上表面呈碗形;在隔离结构上和浮动栅极上依次形成介电层和控制栅极。本发明提供的方法能够在保证耦合率和数据保存性能的前提下,提高控制栅极和有源区之间的击穿电压。进一步地,由于击穿电压得到提高,因此可以考虑适当减小距离,以在一定程度上改善耦合率和数据保存性能。 |
申请公布号 |
CN105097708A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201410217820.6 |
申请日期 |
2014.05.21 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
王新鹏 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;高伟 |
主权项 |
一种嵌入式闪存的制作方法,其特征在于,所述方法包括:a)提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有多个浮动栅极,在相邻的所述浮动栅极之间形成有隔离材料层;b)对所述隔离材料层进行第一回刻蚀,以形成凹槽;c)在所述浮动栅极上和所述第一回刻蚀后的隔离材料层上形成补偿层;d)对所述补偿层进行刻蚀至露出所述浮动栅极的上表面,并对所述第一回刻蚀后的隔离材料层进行第二回刻蚀,以形成隔离结构,其中所述隔离结构的上表面呈碗形;以及e)在所述隔离结构上和所述浮动栅极上依次形成介电层和控制栅极。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |