一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过采用SiCoNi刻蚀去除位于半导体衬底表面的自然氧化硅层，可以减轻刻蚀负载效应，保证形成的锗硅层的尺寸和形貌基本相同，因此可以提高半导体器件的良率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的NMOS区和PMOS区分别形成包括栅极和栅极硬掩膜的栅极结构；步骤S102：形成覆盖所述半导体衬底以及所述栅极结构的第一遮蔽材料层；步骤S103：对所述第一遮蔽材料层进行刻蚀以在PMOS的栅极结构的两侧形成锗硅临时侧壁；步骤S104：对所述半导体衬底执行SiCoNi刻蚀以去除位于所述半导体衬底表面的自然氧化硅层；步骤S105：在所述半导体衬底内形成位于PMOS的栅极两侧的用于容置锗硅层的沟槽；步骤S106：在所述沟槽内形成锗硅层。