一种晶圆背面减薄工艺

摘要

本发明提供了一种晶圆背面减薄工艺，其包括：步骤S1，对晶圆背面进行研磨；步骤S2，向反应腔室内通入反应气体，并开启激励电源和偏压电源，以激发反应气体形成等离子体，使该等离子体轰击晶圆背面且与晶圆发生反应，以去除在步骤S1中晶圆背面产生的裂纹，其中，反应气体为与晶圆可反应的气体；步骤S3，向反应腔室内通入刻蚀气体，并保持激励电源和偏压电源开启，对晶圆背面刻蚀，以去除在步骤S1中晶圆背面产生的损伤层和残余应力。本发明提供的晶圆背面减薄工艺，其可以降低晶圆背面的粗糙度，从而可以避免在封装的后道工序中发生导电层不均匀、保护层外扩短路等问题，进而可以提高产品的导电性能。

主权项

一种晶圆背面减薄工艺，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1，对所述晶圆背面进行研磨； 步骤S2，向反应腔室内通入反应气体，并开启激励电源和偏压电源，以激发所述反应气体形成等离子体，使该等离子体轰击所述晶圆背面且与所述晶圆反应，以去除在所述步骤S1中所述晶圆背面产生的裂纹，其中，所述反应气体为可与所述晶圆反应的气体； 步骤S3，向所述反应腔室内通入刻蚀气体，并保持所述激励电源和所述偏压电源开启，实现对所述晶圆背面刻蚀，以去除在所述步骤S1中所述晶圆背面产生的损伤层和残余应力。