| 发明名称 | 一种半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成层间介电层和位于所述层间介电层中的金属互连结构；在所述层间介电层和所述金属互连结构表面沉积形成无定形硅层；进行热处理，以形成第一金属覆盖层；采用含硼化合物处理所述第一金属覆盖层，以形成第二金属覆盖层；采用氮气或者氨气处理所述第二金属覆盖层，以形成第三金属覆盖层；在所述层间介电层和所述第三金属覆盖层上形成电介质覆盖层。根据本发明提供的形成金属覆盖层的方法，可为器件提供较低的线电阻和良好的电迁移性能，进而提高器件的可靠性和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN105097655A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410193157.0 | 申请日期 | 2014.05.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓浩 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成层间介电层和位于所述层间介电层中的金属互连结构；在所述层间介电层和所述金属互连结构表面沉积形成无定形硅层；进行热处理，以形成第一金属覆盖层；采用含硼化合物处理所述第一金属覆盖层，以形成第二金属覆盖层；采用氮气或者氨气处理所述第二金属覆盖层，以形成第三金属覆盖层；在所述层间介电层和所述第三金属覆盖层上形成电介质覆盖层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||