| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干个由浮栅结构和掩膜层形成的叠层，在相邻的所述叠层之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；去除所述掩膜层，以露出所述浮栅结构；回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物，以露出所述浮栅结构的部分侧壁。本发明所述方法改变了现有技术中的工艺步骤，在形成所述浅沟槽隔离结构之后，执行COPEN工艺步骤之前，去除浮栅结构上的掩膜层，以保护所述浮栅结构的侧壁不受损坏，同时使所述浮栅结构的侧壁更加圆滑，以提高与后续形成的控制栅极结构之间的耦合性能，进一步提高器件的性能和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN105097681A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410188399.0 | 申请日期 | 2014.05.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 陈亮;仇圣棻 |
| 分类号 | H01L21/8232(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8232(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干个由浮栅结构和掩膜层形成的叠层，在相邻的所述叠层之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；去除所述掩膜层，以露出所述浮栅结构；回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物，以露出所述浮栅结构的部分侧壁。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||