发明名称 |
电子器件及其制造方法、以及网络系统 |
摘要 |
本发明涉及电子器件及其制造方法、以及网络系统。在该电子器件及其制造方法、以及网络系统中实现电子器件的小型化。具有:基板(20);第一全固体二次电池(C1),其设置在基板(20)上,具备第一电极层(23)、固体电解质层(25)、以及第二电极层(29);第一晶体管(TR1),其具备第一源极漏极(38a)、与第二电极层(29)电连接的第二源极漏极(38b)、以及第一栅极电极(35);第一端子(41a),其与第一电极层(23)电连接;第二端子(41b),其控制第一栅极电极(35)的电位;第三端子(41c),其与第一源极漏极(38a)电连接;以及密封层(40),其覆盖第一全固体二次电池(C1)和第一晶体管(TR1),第一~第三端子(41a~41c)在密封层(40)的上表面(40x)露出。 |
申请公布号 |
CN105103332A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201380074813.9 |
申请日期 |
2013.03.18 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
壶井修;曾我育生;山本保 |
分类号 |
H01M2/10(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01M2/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
舒艳君;李洋 |
主权项 |
一种电子器件,其特征在于,具有:基板;第一全固体二次电池,其被设置在所述基板上,具备第一电极层、固体电解质层、以及第二电极层;第一晶体管,其具备第一源极漏极、与所述第二电极层电连接的第二源极漏极、以及第一栅极电极;第一端子,其与所述第一电极层电连接;第二端子,其控制所述第一栅极电极的电位;第三端子,其与所述第一源极漏极电连接;以及密封层,其覆盖所述第一全固体二次电池和所述第一晶体管;所述第一端子、所述第二端子、以及所述第三端子在所述密封层的上表面露出。 |
地址 |
日本神奈川县 |