| 摘要 |
<p>본 발명은 BLDD 구조를 고내압화시켜, 핫캐리어 열화를 충분히 억제할 수 있는 드레인 영역을 갖고, 높은 ESD 내성을 실현할 수 있는 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다. 반도체 기판 내에 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역과, 이 소스 영역 및 드레인 영역 사이에 형성되는 채널 영역을 갖는 MOS 트랜지스터를 구비하는 반도체 장치를 형성한다. 이때, 채널 영역에 주입된 P형 불순물로부터 방출되어서 전기 전도에 기여하는 정공의 농도는, 소스 영역에 가까운 측보다도 드레인 영역에 가까운 측에서 낮게, 드레인 영역은, N형의 불순물이 주입된 드리프트 영역을 포함하고, 드리프트 영역이, 반도체 기판의 표면 근방을 제외하고, 드레인 영역으로부터 채널 영역측으로 연장되도록 구성한다.</p> |
