发明名称 Electrostatic Discharge Device of using Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor having lower Trigger Voltage
摘要 <p>낮은 트리거 전압에서 홀딩 영역으로 진입하여 안정적인 동작을 수행할 수 있는 정전 방전 보호소자가 개시된다. 딥 N-웰 영역 상에는 제1 P-웰 활성영역, N-웰 활성영역 및 제2 P-웰 활성영역이 형성된다. 제1 P-웰 활성영역은 배선을 통해 제2 P-웰 활성영역과 전기적으로 연결된다. 또한, 제1 P-웰 활성영역과 N-웰 활성영역이 가지는 이격거리는 N-웰 활성영역과 제2 P-웰 활성영역이 가지는 이격거리를 상회한다. 따라서, N-웰 활성영역과 제2 P-웰 활성영역 사이에 펀치-스루 현상이 발생되고, 다이오드의 등가회로를 형성한다. 이를 통해 낮은 트리거 전압에서도 정전 방전 보호소자는 빠르게 홀딩영역으로 진입할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101570928(B1) 申请公布日期 2015.11.24
申请号 KR20140039461 申请日期 2014.04.02
申请人 단국대학교 산학협력단 发明人 구용서
分类号 H01L23/60;H01L29/735 主分类号 H01L23/60
代理机构 代理人
主权项
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