| 摘要 |
エピタキシャル成長用テンプレートの作製方法であって、サファイア基板の表面にＧａ原子を分散して供給する表面処理工程と、前記サファイア基板上にＡｌＮ層をエピタキシャル成長させるＡｌＮ成長工程を有し、前記ＡｌＮ層の表面から深さ１００ｎｍまでの表面近傍領域を除く前記ＡｌＮ層の内部領域における２次イオン質量分析法により得られるＧａ濃度の前記サファイア基板の表面に垂直な深さ方向の濃度分布における前記Ｇａ濃度の最大値を得る前記深さ方向の位置が、前記サファイア基板の界面から前記ＡｌＮ層側に４００ｎｍ離間した位置までの界面近傍領域内に存在し、前記Ｇａ濃度の最大値が、３?１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、２?１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となる。 |
