发明名称 |
OXYGEN CONTROLLED PVD ALN BUFFER FOR GAN-BASED OPTOELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES |
摘要 |
GaN-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 PVD AlN 버퍼가 개시된다. 산소-제어된 방식으로 GaN-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 PVD AlN 버퍼를 형성시키는 방법이 또한 개시된다. 예로서, GaN-기반 광전자 또는 전자 장치를 위한 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층을 형성시키는 방법은 기판 상에 AlN 층을 반응성 스퍼터링시킴을 포함하고, 반응성 스퍼터링은 질소-함유 가스 또는 질소-함유 가스를 기반으로 한 플라즈마와 물리 기상 증착(PVD) 챔버에 수용된 알루미늄-함유 타겟을 반응시킴을 포함한다. 이러한 방법은 산소를 AlN 층에 도입함을 추가로 포함한다. |
申请公布号 |
KR20150131217(A) |
申请公布日期 |
2015.11.24 |
申请号 |
KR20157028842 |
申请日期 |
2013.08.07 |
申请人 |
APPLIED MATERIALS, INC. |
发明人 |
ZHU MINGWEI;PATIBANDLA NAG B.;WANG RONGJUN;DIEHL DANIEL LEE;AGRAWAL VIVEK;SUBRAMANI ANANTHA |
分类号 |
H01L33/12;H01J37/32;H01J37/34;H01L21/203;H01L31/18;H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/12 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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