发明名称 |
フォトリソグラフィマスクによって処理されるウェーハ上の誤差を補正する方法及び装置 |
摘要 |
A method for correcting errors on a wafer processed by a photolithographic mask at a wafer processing site is provided. The method comprises measuring errors on the wafer, and modifying a pattern placement on the photolithographic mask by locally applying femtosecond light pulses of a laser system to the photolithographic mask at the wafer processing site. |
申请公布号 |
JP5821100(B2) |
申请公布日期 |
2015.11.24 |
申请号 |
JP20130543632 |
申请日期 |
2011.12.02 |
申请人 |
カール ツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー;カール ツァイス エスエムエス リミテッド |
发明人 |
バイアー ディルク;ドミトリエフ ウラジミール;シャロニ オフィア;ワーツマン ナダフ |
分类号 |
G03F1/72;G03F1/84;G03F9/00 |
主分类号 |
G03F1/72 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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