半導体装置の製造方法、及び、半導体装置

摘要

２個のマスクで、フィン状半導体層、柱状半導体層、ゲート電極とゲート配線を形成し、ゲートラストプロセスであるＳＧＴの製造方法とその結果得られるＳＧＴの構造を提供する。本発明の方法は、半導体基板上のフィン状半導体層の周囲に第１の絶縁膜を形成する第１工程と、柱状半導体層と第１のポリシリコンによる第１のダミーゲートと第３の絶縁膜による第１のハードマスクとを形成する第２工程と、第２のハードマスクを形成し、第２のダミーゲートを形成する第３工程と、第５の絶縁膜からなるサイドウォールを形成し、第２の拡散層を形成する第４工程と、ゲート電極及びゲート配線を形成する第５工程と、第２の金属が前記柱状半導体層上部側壁を取り囲む第１のコンタクトと、前記第１のコンタクトの上部と前記柱状半導体層上部とは接続され、前記ゲート配線上に形成された前記第２の金属からなる第２のコンタクトを形成する第６工程とを含む。