| 摘要 |
반도체 구조는 복수의 InGaN의 층 사이에 활성 영역을 포함한다. 활성 영역은 적어도 실질적으로 InGaN으로 구성될 수 있다. 복수의 InGaN의 층은 InGaN을 포함하는 적어도 하나의 우물 층, 및 적어도 하나의 우물 층 근방에 InGaN을 포함하는 적어도 하나의 배리어 층을 포함한다. 일부 실시 예에 있어서, 우물 층의 InGaN에서의 w의 값은 약 0.10 이상이고, 또는 일부 실시 예에 있어서는 약 0.40 이하일 수 있고, 적어도 하나의 배리어 층의 InGaN에서의 b의 값은 약 0.01 이상이고, 약 0.10 이하일 수 있다. 반도체 구조를 형성하는 방법은 발광 장치, 예컨대 LED의 활성 영역을 형성하기 위해 InGaN의 이와 같은 층을 성장시키는 것을 포함한다. 발광 장치(luminary device)는 이와 같은 LED를 포함한다. |
