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发明名称 GROUP III-V/ZINC CHALCOGENIDE ALLOYED SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS
摘要 아연 염 및 티올 또는 셀레놀 화합물로부터 인시튜로 제조된 II-VI족 분자 파종 클러스터의 존재하에서 크기 분포가 좁고, 밝고, 단분산성의, 광-발광 양자점의 스케일 가능한 방법. 예시적인 양자점은 인듐, 인, 아연 및 황 또는 셀레늄을 함유하는 코어를 가진다.
申请公布号 KR20150130374(A) 申请公布日期 2015.11.23
申请号 KR20157027695 申请日期 2014.03.13
申请人 NANOCO TECHNOLOGIES LTD. 发明人 DANIELS STEVEN;HARRIS JAMES;GLARVEY PAUL ANTHONY;ORCHARD KATHERINE;NARAYANASWAMY ARUN
分类号 H01L33/06;C09K11/02;C09K11/70 主分类号 H01L33/06
代理机构 代理人
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