发明名称 逻辑电路
摘要
申请公布号 TWI509775 申请公布日期 2015.11.21
申请号 TW098135779 申请日期 2009.10.22
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 小山润;秋元健吾;津吹将志
分类号 H01L27/088;H01L29/786 主分类号 H01L27/088
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种逻辑电路,包含:具有闸极、源极、及汲极的空乏型电晶体,具有闸极、源极、及汲极的增强型电晶体,与该增强型电晶体的闸极电连接的第一终端;以及电连接至该增强型电晶体连接到该空乏型电晶体处的第二终端,其中高电源电压端与该空乏型电晶体的源极和汲极中的一个电连接,并且该空乏型电晶体的闸极与该空乏型电晶体的源极和汲极中的另一个电连接;其中该增强型电晶体的源极和汲极中的一个与该空乏型电晶体的源极和汲极中的另一个电连接,并且低电源电压端与该增强型电晶体的源极和汲极中的另一个电连接,其中该空乏型电晶体和该增强型电晶体的每个包括:闸极电极;设置于该闸极电极之上的闸极绝缘层;设置于该闸极绝缘层之上的第一氧化物半导体层;与该第一氧化物半导体层的部份接触的源区和汲区,其中该源区和该汲区是第二氧化物半导体层;与该源区接触的源极电极;以及与该汲区接触的汲极电极, 其中该增强型电晶体包括在该第一氧化物半导体层、该源极电极及该汲极电极之上的还原防止层,以及其中该空乏型电晶体不包括在该第一氧化物半导体层、该源极电极、及该汲极电极之上的还原防止层。
地址 日本