| 主权项 |
一种制造III族氮化物半导体发光元件的方法，该方法包含：制备在主要表面上具有不平坦形状之蓝宝石基板；在该蓝宝石基板的该不平坦形状上形成低温缓冲层；以及在该低温缓冲层上生长一包含III族氮化物半导体之半导体层；其中生长该半导体层之步骤包含藉由供应下列至少二类气体而在该低温缓冲层上形成第一半导体层：一包含III族元素之原料气体和一包含V族元素之原料气体，以满足下列方程式：1000≦Y/(2×R)≦1200 R=S/K 0.1≦R<0.5 Y：该包含V族元素之原料气体对该包含III族元素之原料气体的分压比率R：该蓝宝石基板的平坦面对该蓝宝石基板的总面积之面积比率S：在该蓝宝石基板的主要表面侧之该平坦面的面积K：该蓝宝石基板的总面积。 |
