加强模态III-N高电子迁移率电晶体

主权项

一种III-N半导体元件，包含：一闸极；一氮化物通道层，包括该闸极底下的一第一通道区和该第一通道区对侧的二通道存取区，该氮化物通道层的组成选自由镓、铟与铝之氮化物及其组合组成的群组；一AlXN层，邻接该通道层，其中X选自由镓、铟及其组合组成的群组；以及一n掺杂GaN层，其在邻近该些通道存取区之区域处与该AlXN层邻接，但不在邻近该第一通道区的区域处与该AlXN层邻接；该AlXN层的Al浓度、该AlXN层的厚度和该n掺杂GaN层的n掺杂浓度系经选择来诱导该AlXN层旁之该些通道存取区的一二维电子气体(2DEG)电荷，且不诱导该第一通道区的任何实质2DEG电荷，使得该通道区在没有施加一切换电压至该闸极区的情况下为不导电，但当施加大于一临界电压之一切换电压至该闸极区后可快速变成导电。