| 主权项 |
一种高电子移动率电晶体，包括：一第一III-V族化合物层；一第二III-V族化合物层设置于该第一III-V族化合物层之上并与该第一III-V族化合物层之组成不同，该第二III-V族化合物层具有一上表面；一源极特征与一汲极特征设置于该第二III-V族化合物层之上；一闸极设置于该源极特征与该汲极特征间的该第二III-V族化合物层上方；一含氟区域内埋于该闸极下的该第二III-V族化合物层中，其中该含氟区域具有一上表面，其低于该第二III-V族化合物层之上表面，其中该第二III-V族化合物层具有一介于约5nm-50nm之厚度D1，以及其中该含氟区域之一厚度D2为该第二III-V族化合物层之一部分；其中D1/D2之一比例系介于约2.5-7；以及一闸介电层设置于至少一部分之该闸极下且在该含氟区域上方。
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