| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，包括：形成复数闸极结构，其包含一第一闸极介电层、一第一金属层、及一虚置层于该第一闸极介电层及该第一金属层上；形成一罩幕元件于该些闸极结构之一第一闸极结构上；在设置该罩幕元件于该第一闸极结构时，同时自该些闸极结构之一第二闸极结构及一第三闸极结构移除一第一部分的该虚置层；移除该第一部分的该虚置层后，自该第一闸极结构移除该罩幕元件；移除该罩幕元件后，移除一第二部分的该虚置层，其中该第二部分包括该第二闸极结构及该第三闸极结构内残留的该虚置层，且其中移除该第二部分的该虚置层以于该第一闸极结构形成一第一沟槽及于该第二闸极结构形成一第二沟槽，其中该第二沟槽之深度大于该第一沟槽；以及形成一第二闸极介电层及一第二金属层于该第一沟槽及该第二沟槽中。
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