| 主权项 |
一种半导体装置的形成方法，包括：沉积一第一介电层于一基板之上；沉积一牺牲层在该第一介电层之上；蚀刻多个沟槽穿过该牺牲层，但不穿过该第一介电层；于前述一或两个步骤之前或后，蚀刻多个介层窗于该第一介电层；沉积一导电材料以填入上述沟槽及介层窗并形成一镶嵌结构，该结构包括在该第一介电层中填有导电材料之介层窗、在该牺牲层中填有导电材料之多个沟槽；移除该牺牲层；以及沉积一第二介电层以形成一镶嵌结构，该结构包括在该第一介电层中填有铜之多个介层窗及在该第二介电层中填有导电材料之多个沟槽，其中该第一介电层之孔隙率小于20%，且该第二介电层之孔隙率大于20%。 |
