半导体装置及其操作方法

主权项

一种半导体装置，包括：一第一掺杂区，具有一第一导电型；一第二掺杂区，邻接该第一掺杂区并具有相反于该第一导电型的一第二导电型；一第一掺杂接触；一第二掺杂接触，邻接该第一掺杂接触，其中该第一掺杂接触与该第二掺杂接触位于该第一掺杂区上，该第一掺杂接触与该第二掺杂接触之间具有一第一PN接面；一第一掺杂层，位于该第一掺杂接触或该第二掺杂接触的下方，其中该第一掺杂层与该第一掺杂接触或该第二掺杂接触之间具有一第二PN接面，邻接于该第一PN接面，且该第一掺杂层系延伸于该第一掺杂区以及该第一接面之间，该第一掺杂层与该第一掺杂区具有相反的导电型；一第三掺杂接触，具有该第一导电型，并配置于该第二掺杂区中；以及一第一闸结构，配置于该第一掺杂区与该第三掺杂接触之间的该第二掺杂区上。