发明名称 | 记忆体之积体电路及其操作方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI509619 | 申请公布日期 | 2015.11.21 |
申请号 | TW102139005 | 申请日期 | 2013.10.29 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈重光 |
分类号 | G11C16/10 | 主分类号 | G11C16/10 |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
主权项 | 一种记忆体之积体电路,包括:一第一资料驱动电路,耦接一第一节点,用以输出一第一资料电压至该第一节点,该第一节点之电压位准为一第一位准或一第二位准;一传输电晶体,耦接于该第一节点与一第二节点之间,该第二节点之电压位准为一第三位准或一第四位准;以及一感测电路,受控于该第二节点之电压位准,并耦接于该第二节点;其中,当该传输电晶体接收一偏压位准且该第一节点之电压位准为该第一位准时,该传输电晶体使该第二节点之电压位准被设定为该第三位准,该第三位准系接近或实质上等于该第一位准,当该传输电晶体接收一偏压讯号且该第一节点之电压位准为该第二位准时,该第二节点之电压位准系独立于该第一节点之电压位准;其中,当该第二节点之电压位准为该第四位准,该感测电路产生一电流路径而使该第一节点之电压位准被设定为该第一位准,当该第二节点之电压位准为该第三位准,该感测电路中断该电流路径。 | ||
地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 |