半导体装置及其制造方法

主权项

一种半导体装置，包括：一金属结构，形成于一基底上，其中该金属结构系由铜与铝合金所形成；一第一合金层，形成于该金属结构之下，其中该第一合金层包括铜以及一第一导电金属，其中该第一导电金属系选自由锰、铬、钒、铌、及钛所组成之族群；以及一第一阻障层，形成于该第一合金层之下，其中该第一阻障层系藉由在一热(thermal)制程中，该第一合金层与相邻的一第一介电层之间的一第一反应所形成，其中该第一阻障层包括该第一导电金属。