| 主权项 |
一种半导体装置，包含：包含闸极电极的第一电晶体，其中该第一电晶体之通道形成区域包含结晶矽；在该第一电晶体上的层间绝缘膜；在该层间绝缘膜上之第二电晶体，该第二电晶体包含：第一氧化物半导体层；在该第一氧化物半导体层上之源极电极及汲极电极；在该第一氧化物半导体层上之闸极绝缘层；及在该闸极绝缘层上之闸极电极；及在该层间绝缘膜上之第三电晶体，该第三电晶体包含：第二氧化物半导体层，其中该第一电晶体的该闸极电极电性连接于该第二电晶体的该源极电极及该汲极电极其中之一者，及其中该第一氧化物半导体层包含与该第二电晶体的该闸极电极及该第二电晶体的该源极电极及该汲极电极其中之一者均重叠的区域。
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