| 主权项 |
一种半导体装置，包括：一半导体基底，具有一主动区域；一布植隔离区域，围绕着该主动区域且由该半导体基底之一顶表面延伸至该半导体基底中；一闸结构，位于部份的该主动区域与该布植隔离区域之上，其中该闸结构的两个末端至少有一部份延伸至该布植隔离区域上；且其中该闸结构包括：一闸介电层，位于部份的该主动区域上，且至少一部份的该闸介电层位于该布植隔离区域上；两个末端盖硬遮罩(end cap hardmasks)，各自位于该布植隔离区域上的部份该闸介电层上；以及一闸电极，设置于至少一部份的该两个末端盖硬遮罩与该闸介电层上；其中该主动区域中的一或多个掺质物种(species)存在于该两个末端盖硬遮罩。 |
