| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI509692 | 申请公布日期 | 2015.11.21 |
| 申请号 | TW102148319 | 申请日期 | 2013.12.26 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 邱建岚;洪永泰;苏金达 |
| 分类号 | H01L21/3115 | 主分类号 | H01L21/3115 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种半导体元件的制造方法，包括 提供一基底； 在该基底上形成一介电层，该介电层包括第一部分与第二部分，该第一部分邻接于该基底，该第二部分邻接于该第一部分；以及 以三氟化氮处理该介电层，移除该介电层的该第二部分，暴露出该介电层的该第一部分。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||