发明名称 | 层间导体结构及其制造方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI509789 | 申请公布日期 | 2015.11.21 |
申请号 | TW102139597 | 申请日期 | 2013.10.31 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈士弘 |
分类号 | H01L27/24;H01L23/52 | 主分类号 | H01L27/24 |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
主权项 | 一种内连导体结构的制造方法,包括:形成一衬垫堆叠,该衬垫堆叠之一第一侧与一电路之个别的主动层耦接;形成复数个层间导体,该些层间导体在一X方向上延伸排列呈多列,且与该衬垫堆叠中的复数个衬垫对应之复数个着陆区接触,相邻之列在一Y方向上彼此分开,该Y方向垂直于该X方向,在同一列的该些层间导体间在该X方向上具有一第一间距,且在相邻之列的该些层间导体间在该X方向上的偏移量,少于该第一间距;以及形成复数个内连导体于该些层间导体上并与该些层间导体接触,该些内连导体在该Y方向上延伸且具有一第二间距,该第二间距小于该第一间距。 | ||
地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 |