| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de détermination de paramètres de programmation servant à programmer une mémoire vive résistive passant d'un état isolant à un état conducteur, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - détermination des courbes de rétention représentant l'augmentation de la résistance à l'état conducteur en fonction du temps pour une température de programmation donnée et une limitation de courant donnée ; - détermination d'un temps de faute en rétention pour chacune des courbes de rétention ; - détermination des courbes représentant la diminution du temps de faute en rétention en fonction de la température de programmation pour une limitation de courant donnée ; - pour une température de programmation donnée, détermination, à partir des courbes représentant la diminution du temps de faute en rétention, d'une valeur de limitation de courant à appliquer à la mémoire vive résistive afin d'obtenir un temps de faute en rétention cible.</p> |
