| 摘要 |
기판들을 프로세싱하는 방법들 및 장치가 본원에 개시된다. 일부 실시예들에서, 프로세싱 챔버 내의 기판을 지지하기 위한 기판 지지부는 유전성 절연체 판, 유전성 절연체 판에 지지되는 전도성 판으로서, 이 전도성 판은 정상 표면과 바닥 표면 사이의 두께를 규정하는 정상 표면 및 바닥 표면을 포함하며, 전도성 판의 에지 부분은 방사상 외측 방향으로 테이퍼지는, 전도성 판, 및 전도성 판의 정상 표면 상에 배치되는 기판 지지 표면을 포함하는 유전체 판을 포함한다. |
