| 摘要 |
본 발명은, 이동도가 높고, 임계값 전압이 소정의 범위에 있는 산화물 반도체 박막 트랜지스터용 기판 및 그것을 구비한 가요성의 반도체 장치를 제공하는 것이다. 본 발명은, 금속 기부 (11) 와 다공질층 (12) 을 갖는 기재 (10) 를 산화물 반도체 박막 트랜지스터용의 기판으로서 사용하는 경우에, 이 다공질층 상에 실리콘 화합물을 주성분으로 하고, 또한, 수소를 함유하는 절연성을 갖는 보호 절연층 (20) 으로서, 수소 농도가 3.5 × 10atoms/㎤ 이상 3.5 × 10atoms/㎤ 이하이고, 또한, 두께가 100 nm 이상 2000 nm 이하의 보호 절연층 (20) 을 형성하는 것이다. 이 보호 절연층 (20) 위에, 활성층에 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터를 형성한다. |
