| 发明名称 |
ETCHING SOLUTION, ETCHING SOLUTION KIT, ETCHING METHOD USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT |
| 摘要 |
저마늄(Ge)을 포함하는 제1 층과, 저마늄(Ge) 이외의 특정 금속 원소를 포함하는 제2 층을 갖는 반도체 기판에 대하여, 제2 층을 선택적으로 제거하는 에칭액으로서, 유기 알칼리 화합물을 포함하는 에칭액. |
| 申请公布号 |
KR20150129864(A) |
申请公布日期 |
2015.11.20 |
| 申请号 |
KR20157031645 |
申请日期 |
2014.05.01 |
| 申请人 |
FUJIFILM CORPORATION |
发明人 |
SUGISHIMA YASUO;TAKAHASHI SATOMI;KOYAMA AKIKO;KAMIMURA TETSUYA |
| 分类号 |
C23F1/38;C23F1/40;C23F1/44;H01L21/3213;H01L29/66;H01L29/78 |
主分类号 |
C23F1/38 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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