| 摘要 |
<p>본 발명을 통해 전력 트랜지스터를 위한 종단 구조를 제안한다. 해당 종단 구조는 활성화 영역과 종단 영역이 있는 반도체 기판으로 구성된다. 기판은 1차 전도성을 가진다. 종단 트렌치는 종단 영역에 위치하며 활성화 영역과의 가장자리에서 시작해 반도체 기판 가장자리를 향해 뻗어 있다. 도핑 영역은 2차 전도성을 가지며 종단 트렌치 하부 기판에 형성된다. MOS 게이트는 경계부 근방의 격벽면에 형성된다. 도핑 영역은 경계부와 떨어져 있는 MOS 게이트 일부 하부에서 시작해 반도체 기판 가장자리를 향해 뻗어 있다. 종단 구조 산화물층은 종단 트렌치 위에 형성되며 MOS 게이트 일부를 피개하고 기판 가장자리를 향해 뻗어 있다. 1차 전도층은 반도체 기판의 후면에 형성된다. 2차 전도층은 MOS 게이트의 노출부인 활성화 영역 상단에 형성되고 종단 구조 산화물층의 일부를 피개한다.</p> |
