Integrierte, floatende Diodenstruktur

摘要

Halbleiterbauelement, umfassend: ein Halbleitersubstrat eines ersten Leitfähigkeitstyps; einen ersten dotierten Bereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps entgegengesetzt zu dem ersten Leitfähigkeitstyp auf dem Halbleitersubstrat; einen zweiten dotierten Bereich des ersten Leitfähigkeitstyps angrenzend an den ersten dotierten Bereich; einen Kathodenbereich des zweiten Leitfähigkeitstyps innerhalb des zweiten dotierten Bereichs; einen Anodenbereich des ersten Leitfähigkeitstyps innerhalb des Kathodenbereichs; eine erste Elektrode, die mit dem Anodebereich elektrisch verbunden ist; und eine zweite Elektrode die mit dem Kathodenbereich und dem zweiten dotierten Bereich elektrisch verbunden ist, wobei der erste dotierte Bereich als ein floatender Bereich ausgeführt ist;