| 摘要 |
반도체 디바이스 구조가 개시된다. 반도체 디바이스 구조는 기판 위에 연장되는 메사를 포함한다. 메사는 메사의 제 1 측면과 제 2 측면 사이에 채널 영역을 갖는다. 제 1 게이트는 메사의 제 1 측면 상에 있고, 제 1 게이트는 제 1 게이트 절연체를 포함하며 제 1 게이트 도체는 제 1 게이트 절연체를 오버라잉하는 그래핀을 포함한다. 게이트 도체는 하나 이상의 단층들 내의 그래핀을 포함할 수 있다. 또한 개시된 구조를 갖는 반도체 디바이스들을 포함하는 수직 트랜지스터 디바이스들의 어레이의 반도체 디바이스 구조를 제조하는 방법; 및 수직 트랜지스터 디바이스들의 어레이를 제조하는 방법이 개시된다. |
