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<p>비저항이 낮은 매립형 텅스텐 금속 게이트 제조 방법에서, 반도체 기판 상에 게이트 형성용 리세스를 형성하고, 상기 게이트 형성용 리세스에 게이트 유전막을 형성하며, 상기 게이트 유전막 상에 배리어 금속막을 형성하고, 상기 배리어 금속막 상에 핵형성용 금속층을 형성하며, 상기 핵형성용 금속층을 열처리하여 저항이 낮게 상변화를 실시하고, 상기 상변화된 핵형성용 금속층을 기반으로 벌크 게이트 금속 전극을 형성한다. 상기 핵형성용 금속층을 열처리하여 비저항을 낮추고 이를 기반으로 벌크 금속 게이트 전극을 형성하면 비저항이 낮은 전기적인 특성이 우수한 반도체 장치를 만들 수 있다.</p> |
