发明名称 レジスト層の薄膜化装置
摘要 <p>【課題】ディップ槽中の薄膜化処理液によってレジスト層中の成分をミセル化させる薄膜化処理ユニットを備えてなるレジスト層の薄膜化装置において、基板上面のレジスト層表面の薄膜化処理液の被覆量分布を最小限に抑えることにより、レジスト層の薄膜化処理量が不均一になる問題を解決することができるレジスト層の薄膜化装置を提供する。【解決手段】薄膜化処理ユニット11が、基板3下面のレジスト層に薄膜化処理液を付与するためのディップ槽2を有し、基板3上面のレジスト層に薄膜化処理液をロール塗工で付与するための塗工ロール8が設置されている。【選択図】図2</p>
申请公布号 JP3201110(U) 申请公布日期 2015.11.19
申请号 JP20150004587U 申请日期 2015.09.09
申请人 发明人
分类号 G03F7/38;H05K3/28 主分类号 G03F7/38
代理机构 代理人
主权项
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