| 摘要 |
<p>【課題】中空チャンバを有する半導体パッケージ装置及びその下基板を提供する。【解決手段】下基板１００と、接合層と、上基板とを備え、下基板１００は下底板及び下金属層１２０を有し、下金属層１２０は下底板の設置区に形成される。下金属層１２０は第一外側面１２１ａ、第二外側面１２１ｂ及び外部接続面１２１ｃからなる少なくとも１つの隅部１２１を有し、第一外側面１２１ａの第一端点から延伸されて第一延長線が形成され、第二外側面１２１ｂの第二端点から延伸されて第二延長線が形成され、第一延長線及び第二延長線が交差することで交差点が形成される。交差点、第一端点及び第二端点により形成される区域は表面の第一露出区１１１ｂであり、接合層は下金属層１２０に形成され、上基板が接合層に接合されることで、上基板と下基板１００との間に中空チャンバが形成される。【選択図】図４</p> |
