Integrierter Schaltkreis mit einem ersten und einem zweiten Gatestapel und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises mit nichtflüchtigen Speicherzellen, umfassend: Ausbilden eines ersten Gatestapels (140) umfassend ein Gatedielektrikum (142) auf einem ersten Oberflächenabschnitt einer Hauptoberfläche (101) eines Halbleitersubstrats (100) und eines zweiten Gatestapels (150) umfassend einen Speicherschichtstapel (152) auf einem zweiten Oberflächenabschnitt, wobei eine Konfiguration des Speicherschichtstapels (152) von der des Gatedielektrikums (142) abweicht; Ausbilden einer Hartmaske (170a) über dem ersten und dem zweiten Gatestapel (140, 150), wobei die Hartmaske (170a) in einem ersten Maskenabschnitt über dem ersten Gatestapel (140) ein erstes Muster und in einem zweiten Maskenabschnitt über dem zweiten Gatestapel (150) ein zweites Muster aufweist; und Übertragen des ersten Musters in den ersten Gatestapel (140) und des zweiten Musters in den zweiten Gatestapel (150), wobei Abschnitte der Hauptoberfläche (101) freigelegt werden, das Übertragen der Muster umfassend: entweder Abdecken des zweiten Maskenabschnitts mit einer dritten Blockmaske (393) vor der Übertragung des ersten Musters; und Abdecken des ersten Maskenabschnitts mit einer vierten Blockmaske (394) vor dem Übertragen des zweiten Musters, oder gleichzeitiges Übertragen des ersten Musters in einen ersten Gateleiterstapel (444) des ersten Gatestapels (440) und des zweiten Musters in einen zweiten Gateleiterstapel (445) des zweiten Gatestapels (450); Abdecken des strukturierten ersten Gateleiterstapels mit einer Hilfsätzmaske (483a); Übertragen des zweiten Musters in den Speicherschichtstapel (152); Abdecken des strukturierten zweiten Gatestapels (450) mit einer fünften Blockmaske (495); Entfernen der Hilfsätzmaske (483a); und Übertragen des ersten Musters in das Gatedielektrikum (442).