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<p>첨가원소로서 Co 및 Si를 함유하는 전기전자부품용 동합금 재료로서, Co와 Si로 이루어지는 평균입자지름이 5nm 이상 50nm 미만의 화합물 A가 분산되고, 또한, Co와 Si의 한쪽 혹은 양쪽을 함유하지 않는 평균입자지름이 50nm 이상 500nm 이하의 화합물 B와, Co와 Si의 양쪽 및 다른 원소를 더 함유하는 평균입자지름이 50nm 이상 500nm 이하의 화합물 C와, Co와 Si로 이루어지는 평균입자지름이 50nm 이상 500nm 이하의 화합물 D로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물이 분산되고, 또한, 모상의 동합금의 결정립 지름이 3∼35㎛이고, 또한 도전율이 50%IACS 이상인 전기전자부품용 동합금 재료.</p> |
