Verfahren und Vorrichtung zur geregelten, gepulsten ionisierten Beschichtung von Substraten in einer Beschichtungskammer

摘要

Es wird ein Verfahren vorgestellt, mit dem eine geregelte, gepulste ionisierte Beschichtung von Substraten möglich ist. Das Verfahren umfasst die spektrometrische Messung der Emissionslinien von Ionen und Neutralteilchen des Targets zur Bestimmung des Ionisierungsgrades der Teilchen, wobei der Ionisierungsgrad zur Anpassung der Ladespannung, der Pausendauer zwischen den Pulsen und/oder der Pulsdauer einer Pulseinheit herangezogen wird, um eine gewünschte Schichtstruktur zu erhalten. Folglich kann während des Sputtervorgangs ein unmittelbarer Einfluss auf die gesputterten Schicht genommen werden. Die erfindungsgemäß vorgeschlagene Vorrichtung weist eine Beschichtungskammer mit Target, eine Pulseinheit und eine spektrometrische Einheit auf und ist strukturell so angepasst, dass in Anhängigkeit von der Messung der spektroskopischen Einheit der Ionisierungsgrad des Targets eingestellt werden kann.