Halbleitervorrichtung mit Kompensationsstruktur

摘要

Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen Halbleiterkörper (100), der Transistorzellen (TC) und eine Driftzone (120) zwischen einer Drainschicht (130) und den Transistorzellen (TC) aufweist. Die Driftzone (120) umfasst eine Kompensationsstruktur (180). Über einer Verarmungsspannung weicht ein erster Ausgangsladungsgradient, der erhalten ist durch Erhöhen einer Drain-Source-Spannung von der Verarmungsspannung zu einer maximalen Drain-Source-Spannung, um weniger als 5 % von einem zweiten Ausgangsladungsgradienten ab, der erhalten ist durch Vermindern der Drain-Source-Spannung von der maximalen Drain-Source-Spannung zu der Verarmungsspannung. Bei der Verarmungsspannung weist der erste Ausgangsladungsgradient eine maximale Krümmung auf.