| 摘要 |
<p>Unter Verwendung eines SOI Substrats, in dem eine vordere Oberflächenseitenhalbleiterschicht, eine Isolationsschicht, und eine hintere Oberflächenseitenhalbleiterschicht in dieser Reihenfolge geschichtet sind, werden vertikale Halbleitereinrichtungen in Massen produziert, wobei die Halbleiterschichtdicke gesteuert wird. Ein Prozess, der auf der vorderen Oberfläche des SOI Substrats auszuführen ist, wird auf der vorderen Oberfläche ausgeführt. Eine hintere Oberfläche des SOI Substrats wird geätzt, sodass die hintere Oberflächenseitenhalbleiterschicht und die Isolationsschicht entfernt werden und eine hintere Oberfläche der vorderen Oberflächenhalbleiterschicht offen liegt. Ein Prozess, der auf der offen liegenden hinteren Oberfläche der vorderen Oberflächenseitenhalbleiterschicht auszuführen ist, wird auf der hinteren Oberfläche ausgeführt. Eine Dicke der vorderen Oberflächenseitenhalbleiterschicht des SOI Substrats kann genau gesteuert werden, und die Halbleitereinrichtungen mit einer Halbleiterschicht mit derselben Dicke wie der Dicke der vorderen Oberflächenseitenhalbleiterschicht werden in Massen produziert. Die hintere Oberflächenseitenhalbleiterschicht und die Isolationsschicht müssen nicht in einem Bereich entfernt werden, der verschieden von einem aktiven Bereich ist, in dem eine Halbleiterstruktur gebildet ist, die als die Halbleitereinrichtung fungiert. Die vertikalen Halbleitereinrichtungen, in denen die Isolationsschicht und die hintere Oberflächenseitenhalbleiterschicht in dem aktiven Bereich entfernt sind, und die Isolationsschicht und die hintere Oberflächenseite der Halbleiterschicht in einem peripheren Spannungsfestigkeitsbereich erhalten bleiben, können in Massen produziert werden. Hochleistungshalbleitereinrichtungen können in Massen mit einer guten Ausbeute produziert werden.</p> |
