发明名称 一种掩模图形修正方法
摘要 一种掩模图形修正方法,包括将期望得到的曝光图形定义为初始掩模图形M(                                                <img file="665659dest_path_image001.GIF" wi="44" he="26" />),定义标准单元图形的标准单元图形T(<img file="dest_path_image002.GIF" wi="46" he="27" />),将所述初始掩模图形转换为以所述标准单元图形表达的掩模图形信息,其中<img file="dest_path_image003.GIF" wi="40" he="24" />为二维坐标系中的坐标;标定所述标准单元图形通过光学成像系统的成像效果,建立光强映射表;根据所述掩模图形信息和所述光强映射表,计算获得成像方光强考察点的实际光强;根据所述实际光强与所述期望得到的曝光图形的期望光强的差值,计算获得掩模图形修正量,用于修正初始掩模图形。本发明在保证运算精度的同时,大幅提高运算速度。
申请公布号 CN103376644B 申请公布日期 2015.11.18
申请号 CN201210119058.9 申请日期 2012.04.23
申请人 上海微电子装备有限公司 发明人 杨志勇;白昂力
分类号 G03F1/36(2012.01)I 主分类号 G03F1/36(2012.01)I
代理机构 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人 王光辉
主权项 一种掩模图形修正方法,其特征在于,包括以下步骤:将期望得到的曝光图形定义为初始掩模图形M(<img file="dest_path_image002.GIF" wi="24" he="10" />),定义标准单元图形T(<img file="dest_path_image002a.GIF" wi="24" he="10" />),将所述初始掩模图形转换为以所述标准单元图形表达的掩模图形信息,具体为对所述初始掩模图形的边缘进行分割,将所述初始掩模图形拆分成所述标准单元图形,其中<img file="dest_path_image002aa.GIF" wi="24" he="10" />为二维坐标系中的坐标;标定所述标准单元图形通过光学成像系统的成像效果,建立光强映射表;具体为,根据所述标准单元图形制作标定掩模,对所述标定掩模用不同的曝光剂量进行曝光,形成曝光图像,测量像方曝光图形的边界位置,拟合形成高强等高线图,利用插值方法得到所述光强映射表;根据所述掩模图形信息和所述光强映射表,计算获得成像方光强考察点的实际光强;根据所述实际光强与所述期望得到的曝光图形的期望光强的差值,计算获得掩模图形修正量,用于修正初始掩模图形。
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